參數(shù)資料
型號： ZXTD4M322TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 70V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR
中文描述： 2.5 mA, 70 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, MLP322, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 112K
代理商： ZXTD4M322TC
ZXT4M322
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 1 - J UNE 2003
5
0.6
25°C
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=10
100°C
V
CE
=5V
V
CE
=5V
25°C
-55°C
-55°C
25°C
100°C
-55°C
25°C
100°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1mA
10mA
Collector Current
V
BE(SAT)
vs I
C
100mA
V
C
1A
10A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1mA
10mA
Collector Current
V
CE(SAT)
vs I
C
100mA
V
C
1A
10A
I
C
/I
B
=5
100°C
25°C
-55°C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
Collector Current
V
BE(SAT)
vs I
C
100mA
V
B
1A
10A
D.C.
11s
10ms
100μs
10
SINGLE PULSE TEST T
amb
= 25 deg C
1.0
0.1
0.01
0.1
1
10
V
CE
(VOLTS)
Safe Operating Area
I
C
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
Collector Current
V
BE(ON)
vs I
C
100mA
V
B
1A
10A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
1mA
10mA
100mA
Collector Current
h
FE(SAT)
vs I
C
N
T
1A
10A
450
225
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXT4M322 70V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR
ZXTD6717E6 COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS
ZXTD6717E6TA COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS
ZXTD6717E6TC COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS
ZXTDA1M832 DUAL 15V NPN & 12V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR COMBINATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTD617MC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 15V NPN LOW SATURATION TRANSISTORS
ZXTD617MCTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 15V NPN Low Sat 4.5A Ic 100mV 45mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD618MC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 20V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD618MCTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD619MC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 50V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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