參數(shù)資料
型號： ZXTD1M832
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： MPPSTM微型封裝雙12V的電源解決方案進(jìn)步黨低飽和開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： ZXTD1M832
ZXTD1M832
ISSUE 1 - JUNE 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-20
-35
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-12
-25
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
-7.5
8.5
V
I
E
=-100 A
V
CB
=-16V
V
EB
=-6V
V
CES
=-10V
I
C
=-0.1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1.5A, I
B
=-50mA*
I
C
=-3A, I
B
=-50mA*
I
C
=-4A, I
B
=-150mA*
I
C
=-4A, I
B
=150mA*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-0.1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2.5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-8A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10A, V
CE
=-2V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Collector Cut-Off Current
-25
nA
Emitter Cut-Off Current
-25
nA
Collector Emitter Cut-Off Current
-25
nA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-10
-100
-100
-195
-240
-17
-140
-150
-300
-300
mV
mV
mV
mV
mV
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
-0.97
-1.050
V
Base-Emitter Turn-On Voltage
-0.87
-0.950
V
Static Forward Current Transfer
Ratio
300
300
180
60
45
475
450
275
100
70
Transition Frequency
f
T
100
110
MHz
Output Capacitance
C
obo
t
(on)
t
(off)
21
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CC
=-6V, I
C
=-2A
I
B1
=I
B2
=-50mA
Turn-On Time
70
ns
Turn-Off Time
130
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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PDF描述
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