參數(shù)資料
型號： ZXTCM322
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： ZXTCM322
ZXTCM322
ISSUE 2 - JUNE 2002
5
1m
10m
I
C
CollectorCurrent(A)
V
CE(SAT)
vI
C
100m
1
10
1m
10m
100m
1m
10m
I
C
CollectorCurrent(A)
100m
1
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
1m
10m
100m
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1m
10m
I
C
CollectorCurrent(A)
100m
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1m
10m
I
C
CollectorCurrent(A)
100m
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
0
90
180
270
360
450
540
630
V
CE(SAT)
vI
C
Tamb=25°C
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
V
C
(
V
BE(SAT)
vI
C
I
C
/I
B
=50
100°C
25°C
-55°C
V
C
(
h
FE
vI
C
V
CE
=2V
-55°C
25°C
100°C
N
I
C
CollectorCurrent(A)
25°C
I
C
/I
B
=50
100°C
-55°C
V
B
(
V
BE(ON)
vI
C
V
CE
=2V
100°C
25°C
-55°C
V
B
(
T
F
)
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關PDF資料
PDF描述
ZXTCM322TA TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTCM322TC TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTD3M832
ZXTDBM832
ZXTDBM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTCM322TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V PNP 2x2 MLP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTCM322TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTD09N50DE6 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD09N50DE6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD09N50DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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