參數資料
型號： ZXTC2062E6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V, SOT23-6, complementary medium power transistors
中文描述： 20V的，采用SOT23 - 6，互補中等功率晶體管
文件頁數： 1/8頁
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代理商： ZXTC2062E6
Issue 1 - October 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
ZXTC2062E6
20V, SOT23-6, complementary medium power transistors
Summary
BV
CEO
> 20 (-20)V
BV
ECO
> 5 (-4)V
I
C(cont)
= 4 (-3.5)A
V
CE(sat)
< 50 (-65)mV @ 1A
R
CE(sat)
= 35 (54)m
P
D
= 1.1W
Description
Advanced process capability has been used to
achieve
this
high
Combining NPN and PNP transistors in the
SOT23-6 package provides a compact solution
for the intended applications
performance
device.
Features
NPN-PNP combination
Very low saturation voltage
High gain
SOT23-6 package
Applications
MOSFET and IGBT gate driving
Motor drive
Ordering information
Device marking
2062
DEVICE
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity
per reel
3000
ZXTC2062E6TA
C1
E1
B1
C2
E2
B2
C1
B1
C2
E1
Top view
B2
E2
相關PDF資料
PDF描述
ZXTC2062E6TA 20V, SOT23-6, complementary medium power transistors
ZXTC2063E6 40V, SOT23-6, complementary medium power transistors
ZXTC2063E6TA 40V, SOT23-6, complementary medium power transistors
ZXTD09N50DE6 DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD09N50DE6TA DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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參數描述
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ZXTC2062E6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTC2063E6 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:40V, SOT23-6, complementary medium power transistors
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