參數(shù)資料
型號： ZXTBM322
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： ZXTBM322
ZXTBM322
ISSUE 2 - JUNE 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
40
100
V
I
C
=100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
20
27
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
7.5
8.2
V
I
E
=100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
25
nA
V
CB
=32V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
25
nA
V
EB
=6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
25
nA
V
CES
=16V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
8
90
115
190
210
15
150
135
250
270
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=2A, I
B
=50mA*
I
C
=3A, I
B
=100mA*
I
C
=4.5A, I
B
=125mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.98
1.05
V
I
C
=4.5A, I
B
=125mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.88
0.95
V
I
C
=4.5A, V
CE
=2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
200
100
400
450
360
180
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=0.2A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=6A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
100
140
MHz
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
23
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
170
ns
V
CC
=10V, I
C
=3A
I
B1
=I
B2
=10mA
Turn-Off Time
t
(off)
400
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
相關PDF資料
PDF描述
ZXTBM322TA TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTCM322
ZXTCM322TA TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTCM322TC TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTD3M832
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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ZXTBM322TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTC2045E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN/PNP SOT23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN & PNP, DUAL, 30V, 1.5A, 1.7W, SOT-23; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:1.7W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
ZXTC2045E6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP 40 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTC2045E6TC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:Dual 40V complementary transistors in SOT23-6
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