參數(shù)資料
型號： ZXT14P40DX
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 40V的進(jìn)步黨硅低飽和開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： ZXT14P40DX
ISSUE 1 - MARCH 2000
ZXT14P40DX
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-50
-110
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-40
-90
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-7.5
-8.5
V
I
E
=-100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-40V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-40V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-10
-100
-45
-105
-130
-15
-125
-55
-130
-160
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-20mA*
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
I
C
=-4A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-4A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.85
V
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
300
300
200
50
500
450
380
100
900
I
C
=-10mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-8A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
185
MHz
I
=-300mA, V
CE
=-10V
f=-30MHz
Output Capacitance
C
obo
95
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
130
ns
V
CC
=-10V, I
=-4A
I
B1
=I
B2
=-100mA
Turn-Off Time
t
(off)
435
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
4
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PDF描述
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