參數(shù)資料
型號： ZXT14P20DX
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 20V的進(jìn)步黨硅低飽和開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： ZXT14P20DX
ISSUE 1 - MARCH 2000
ZXT14P20DX
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-25
-75
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-20
-60
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-7.5
-8.5
V
I
E
=-100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-20V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-20V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-6
-60
-100
-135
-100
-8
-80
-125
-200
-125
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-3A, I
B
=-50mA*
I
C
=-5A, I
B
=-100mA*
I
C
=-5A, I
B
=-500mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-5A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.85
V
I
C
=-5A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
300
300
200
60
500
450
300
100
900
I
C
=-10mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-15A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
170
MHz
I
=-300mA, V
CE
=-10V
f=-30MHz
Output Capacitance
C
obo
130
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
120
ns
V
CC
=-10V, I
=-5A
I
B1
=I
B2
=-125mA
Turn-Off Time
t
(off)
330
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
4
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PDF描述
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