參數(shù)資料
型號(hào)： ZXT14P12DXTA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, MO-187AA
封裝： MO-187, MSOP-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： ZXT14P12DXTA
ISSUE 1 - MARCH 2000
ZXT14P12DX
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-20
-36
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-12
-25
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-7.5
-8.5
V
I
E
=-100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-16V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-16V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-3
-40
-20
-125
-95
-5
-50
-30
-165
-115
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
I
C
=-6A, I
B
=-60mA*
I
C
=-6A, I
B
=-300mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
I
C
=-6A, I
B
=-60mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.85
V
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
300
300
250
75
500
450
400
150
900
I
C
=-10mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
I
C
=-20A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
110
MHz
I
=-300mA, V
CE
=-10V
f=30MHz
Output Capacitance
C
obo
205
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
158
ns
V
CC
=-6V, I
=-6A
I
B1
=I
B2
=-150mA
Turn-Off Time
t
(off)
190
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXT14P12DXTC 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT14P20DX 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT14P20DXTA 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT14P20DXTC 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT14P40DX 40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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