參數(shù)資料
型號： ZXT13P20DE6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 20V的進(jìn)步黨硅低飽和開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 409K
代理商： ZXT13P20DE6
ISSUE 1 - DECEMBER 1999
ZXT13P20DE6
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient (a)
R
θ
JA
113
°C/W
Junction to Ambient (b)
R
θ
JA
73
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 5 secs.
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-25
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-20
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-7.5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-10
A
Continuous Collector Current
I
C
-4
A
Base Current
I
B
-500
mA
Power Dissipation at TA=25°C (a)
Linear Derating Factor
P
D
1.1
8.8
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C (b)
Linear Derating Factor
P
D
1.7
13.6
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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