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參數(shù)資料
| 型號： | ZXT13P12DE6TC |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 4000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | ZXT13P12DE6TC |
ISSUE 1 - DECEMBER 1999
ZXT13P12DE6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-20
-33
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-12
-25
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-7.5
-8.5
V
I
E
=-100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-16V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-16V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-7.5
-68
-135
-200
-150
-10
-90
-175
-250
-175
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-3A, I
B
=-50mA*
I
C
=-4A, I
B
=-50mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-4A, I
B
=-50mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.9
V
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
300
300
200
20
500
450
300
30
900
I
C
=-10mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-15A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
55
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
115
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
70
ns
V
CC
=-10V, I
=-3A
I
B1
=I
B2
=-60mA
Turn-Off Time
t
(off)
265
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXT13P20DE6TA | 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| ZXT13P2ODE6 | |
| ZXT13P20DE6 | 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| ZXT13P20DE6TC | 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| ZXT14P12DX | 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXT13P20DE6 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| ZXT13P20DE6TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP SuperSOT4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZXT13P20DE6TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP SuperSOT4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZXT13P2ODE6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| ZXT13P40DE6 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
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