參數(shù)資料
型號： ZXT13P12DE6TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 4000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： ZXT13P12DE6TA
ISSUE 1 - DECEMBER 1999
ZXT13P12DE6
PACKAGE DIMENSIONS
PAD LAYOUT DETAILS
6
Zetex plc.
Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.
Telephone: (44)161 622 4422 (Sales), (44)161 622 4444 (General Enquiries)
Fax: (44)161 622 4420
Zetex GmbH
Streitfeldstrae 19
D-81673 München
Germany
Telefon: (49) 89 45 49 49 0
Fax: (49) 89 45 49 49 49
Zetex Inc.
47 Mall Drive, Unit 4
Commack NY 11725
USA
Telephone: (631) 543-7100
Fax: (631) 864-7630
Zetex (Asia) Ltd.
3510 Metroplaza, Tower 2
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Kwai Fong, Hong Kong
Telephone:(852) 26100 611
Fax: (852) 24250 494
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Zetex plc 1999
Internet:http://www.zetex.com
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A1
2
L
DATUM A
a
C
E
A
A2
E1
D
b
e
e1
DIM
Millimetres
Inches
Min
Max
Min
Max
A
0.90
1.45
0.35
0.057
A1
0.00
0.15
0
0.006
A2
0.90
1.30
0.035
0.051
b
0.35
0.50
0.014
0.019
C
0.09
0.20
0.0035
0.008
D
2.80
3.00
0.110
0.118
E
2.60
3.00
0.102
0.118
E1
1.50
1.75
0.059
0.069
L
0.10
0.60
0.004
0.002
e
0.95 REF
0.037 REF
e1
1.90 REF
0.074 REF
L
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10°
0°
10°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXT13P12DE6TC 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P20DE6TA 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P2ODE6
ZXT13P20DE6 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P20DE6TC 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXT13P12DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V PNP SuperSOT4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXT13P20DE6 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P20DE6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP SuperSOT4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXT13P20DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP SuperSOT4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXT13P2ODE6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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