參數(shù)資料
型號： ZXMN6A09DN8TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3900 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 694K
代理商： ZXMN6A09DN8TC
PROVISIONAL ISSUE D - AUGUST 2001
ZXMN6A09DN8
5
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
2
3
4
5
0.1
1
10
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
1
I
D
Drain Current (A)
10
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
4V
5V
3.5V
2.5V
T = 25
C
3V
V
GS
I
D
V
DS
Drain-Source Voltage (V)
2V
2.5V
4V
5V
3V
T = 150
C
V
GS
3.5V
I
D
V
DS
Drain-Source Voltage (V)
V
DS
= 10V
T = 25
C
T = 150
C
I
D
V
GS
Gate-Source Voltage (V)
R
DS(on)
V
= 10V
I
D
= 12A
V
GS(th)
V
GS
= V
DS
I
D
= 250uA
N
D
G
Tj Junction Temperature (
C)
10V
4V
5V
3.5V
T = 25
C
3V
V
GS
R
D
T = 150
C
T = 25
C
V
SD
Source-Drain Voltage (V)
I
S
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN6A09G 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09GTA 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09GTC 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09G(1)
ZXMN6A09K 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
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參數(shù)描述
ZXMN6A09DN8TCA 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A09G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZXMN6A09G(1) 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:
ZXMN6A09G_07 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN6A09GTA 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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