參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN3A04KTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
中文描述： 12 A, 30 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： ZXMN3A04KTC
ZXMN3A04K
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 1 - FEBRUARY 2004
2
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-source voltage
V
DS S
30
V
Gate-source voltage
V
GS
±20
V
Continuous drain current @ V
GS
=10V; T
A
=25°C
(b)
@ V
GS
=10V; T
A
=70°C
(b)
@ V
GS
=10V; T
A
=25°C
(a)
I
D
18.4
14.7
12.0
A
A
A
Pulsed drain current
(c)
I
DM
66
A
Continuous source current (body diode)
(b)
I
S
11.5
A
Pulsed source current (body diode)
(c)
I
S M
66
A
Power dissipation at T
A
=25°C
(a)
Linear derating factor
P
D
4.3
34.4
W
mW/°C
Power dissipation at T
A
=25°C
(b)
Linear derating factor
P
D
10.1
80.8
W
mW/°C
Power dissipation at T
A
=25°C
(d)
Linear derating factor
P
D
2.15
17.2
W
mW/°C
Operating and storage temperature range
T
j
, T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
J unction to ambient
(a)
R
J A
29
°C/W
J unction to ambient
(b)
R
J A
12.3
°C/W
J unction to ambient
(d)
R
J A
58
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at
10 sec.
(c) Repetitive rating 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d)For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
THERMAL RESISTANCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN3A04K 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
ZXMN3A14F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A14FTA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A14FTC 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3B04N8 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN3A05N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN3A06DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A06DN8_02 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A06DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN3A06DN8TC 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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