參數(shù)資料
型號： ZXMN3A03E6TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 926K
代理商： ZXMN3A03E6TC
ZXMN3A03E6
ISSUE 1 - MARCH 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
30
V
ID=250 A, VGS=0V
VDS=30V, VGS=0V
VGS=
20V, VDS=0V
ID=250 A, VDS= VGS
VGS=10V, ID=7.8A
VGS=4.5V, ID=6.8A
VDS=10V,ID=7.8A
Zero Gate Voltage Drain Current
0.5
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
1
V
Static Drain-Source On-State Resistance
(1)
0.050
0.065
Forward Transconductance (1)(3)
gfs
10
S
DYNAMIC
(3)
Input Capacitance
Ciss
Coss
Crss
600
pF
VDS=25 V, VGS=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
104
pF
Reverse Transfer Capacitance
58.5
pF
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
2.9
ns
VDD=15V, ID=3.5A
RG=6.0 , VGS=10V
Rise Time
6.4
ns
Turn-Off Delay Time
16.0
ns
Fall Time
11.2
ns
Gate Charge
6.9
nC
VDS=15V,VGS=5V,
I
D
=3.5A
Total Gate Charge
Qg
Qgs
Qgd
12.6
nC
VDS=15V,VGS=10V,
I
D
=3.5A
Gate-Source Charge
2.0
nC
Gate-Drain Charge
2.0
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
VSD
0.85
0.95
V
TJ=25°C, IS=3.2A,
VGS=0V
TJ=25°C, IF=3.5A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Time (3)
trr
Qrr
18.8
ns
Reverse Recovery Charge (3)
14.1
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise stated).
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
=
300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
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PDF描述
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