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參數(shù)資料
| 型號： | ZXMN3A03E6 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | LED 5MM RED/GREEN BICLR WHT DIFF |
| 中文描述： | 30V的N溝道增強型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 926K |
| 代理商： | ZXMN3A03E6 |
ZXMN3A03E6
ISSUE 1 - MARCH 2002
6
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3A03E6TA | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A03E6TC | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A04DN8 | DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A04DN8TA | DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A04DN8TC | DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMN3A03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN3A03E6_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A03E6TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN3A03E6TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN3A04DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL N SO-8 |
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