- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373846 > ZXMN3A02N8 (Zetex Semiconductor) 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZXMN3A02N8 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 450K |
| 代理商： | ZXMN3A02N8 |
ZXMN3A02X8
ISSUE 1 - JANUARY 2002
3
CHARACTERISTICS
* For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in
still air conditions.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3A02N8TC | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A03E6 | LED 5MM RED/GREEN BICLR WHT DIFF |
| ZXMN3A03E6TA | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A03E6TC | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A04DN8 | DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMN3A02N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN3A02N8TC | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A02X8 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A02X8TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN3A02X8TC | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。