參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN2A03E6TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： ZXMN2A03E6TC
ZXMN2A03E6
PROVISIONAL ISSUE C - NOVEMBER 2001
4
Zetex plc
Fields New Road
Chadderton
Oldham, OL9 8NP
United Kingdom
Telephone (44) 161 622 4422
Fax: (44) 161 622 4420
Zetex GmbH
Streitfeldstrae 19
D-81673 München
Germany
Telefon: (49) 89 45 49 49 0
Fax: (49) 89 45 49 49 49
Zetex Inc
700 Veterans Memorial Hwy
Hauppauge, NY11788
USA
Telephone: (631) 360 2222
Fax: (631) 360 8222
Zetex (Asia) Ltd
3701-04 Metroplaza, Tower 1
Hing Fong Road
Kwai Fong, Hong Kong
China
Telephone: (852) 26100 611
Fax: (852) 24250 494
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Zetex plc 2001
A1
2
L
DATUM A
a
C
E
A
A2
E1
D
b
e
e1
PACKAGE DIMENSIONS
PAD LAYOUT DETAILS
DIM
Millimetres
Inches
Min
Max
Min
Max
A
0.90
1.45
0.35
0.057
A1
0.00
0.15
0
0.006
A2
0.90
1.30
0.035
0.051
b
0.35
0.50
0.014
0.019
C
0.09
0.20
0.0035
0.008
D
2.80
3.00
0.110
0.118
E
2.60
3.00
0.102
0.118
E1
1.50
1.75
0.059
0.069
L
0.10
0.60
0.004
0.002
e
0.95 REF
0.037 REF
e1
1.90 REF
0.074 REF
L
0°
10°
0°
10°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN2A04DN8 DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TA DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TC DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A14F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A14FTA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
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ZXMN2A04DN8_04 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN2A04DN8TC 功能描述:MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN2A05N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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