參數(shù)資料
型號： ZXMN2A03E6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 20V的N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： ZXMN2A03E6
PROVISIONAL ISSUE C - NOVEMBER 2001
ZXMN2A03E6
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
I
D
20
V
Gate Source Voltage
12
V
Continuous Drain Current V
GS
=4.5V; T
A
=25°C(b)
V
GS
=4.5V; T
A
=70°C(b)
V
GS
=4.5V; T
A
=25°C(a)
4.5
3.6
3.6
A
Pulsed Drain Current (c)
I
DM
I
S
I
SM
P
D
16
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
2.7
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
16
A
Power Dissipation at T
A
=25°C (a)
Linear Derating Factor
1.1
8.8
W
mW/°C
Power Dissipation at T
A
=25°C (b)
Linear Derating Factor
P
D
1.7
13.6
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient (a)
R
θ
JA
113
°C/W
Junction to Ambient (b)
R
θ
JA
73
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 5 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.05, pulse width 10 s - pulse width limited by maximum
junction temperature.
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