參數(shù)資料
型號： ZXMN10A07Z
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 100V的N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 951K
代理商： ZXMN10A07Z
ZXMN10A07Z
ISSUE 1 - MARCH 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
100
V
ID=250 A, VGS=0V
VDS=100V, VGS=0V
VGS=
20V, VDS=0V
ID=250 A, VDS= VGS
VGS=10V, ID=1.5A
VGS=6V, ID=1A
VDS=15V,ID=1A
Zero Gate Voltage Drain Current
1.0
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
2.0
V
Static Drain-Source On-State Resistance
(1)
1.0
1.1
Forward Transconductance (1)(3)
gfs
1.6
S
DYNAMIC
(3)
Input Capacitance
Ciss
Coss
Crss
138
pF
VDS=50 V, VGS=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
12
pF
Reverse Transfer Capacitance
6
pF
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
1.8
ns
VDD=50V, ID=1.0A
RG=6.0 , VGS=10V
Rise Time
1.5
ns
Turn-Off Delay Time
4.1
ns
Fall Time
2.1
ns
Total Gate Charge
2.9
nC
VDS=50V,VGS=10V,
I
D
=1.0A
Gate-Source Charge
0.7
nC
Gate-Drain Charge
1.0
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
VSD
0.84
0.95
V
TJ=25°C, IS=1.5A,
VGS=0V
TJ=25°C, IF=1.0A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Time (3)
trr
Qrr
27
ns
Reverse Recovery Charge (3)
12
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise stated).
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
=
300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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