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參數(shù)資料
| 型號： | ZXMC3A16DN8TC |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述： | 4900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | ZXMC3A16DN8TC |
ZXMC3A16DN8
PROVISIONAL ISSUE F - J ULY 2004
6
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1
10
0.01
0.1
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3
4
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100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V
SD
Source-DrainVoltage(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
100
V
GS
3V
2.5V
2V
1.5V
10V
4V
Output Characteristics
T =25°C
V
GS
I
D
D
V
DS
Drain-SourceVoltage(V)
2V
1.5V
1V
10V
2.5V
3V
3.5V
Output Characteristics
T =150°C
4V
I
D
D
V
DS
Drain-SourceVoltage(V)
Typical TransferCharacteristics
V
DS
=10V
T =25°C
T =150°C
I
D
D
V
Gate-SourceVoltage(V)
NormalisedCurvesv Temperature
R
DS(on)
V
GS
=10V
I
D
=1.5A
V
GS(th)
V
GS
=V
I
D
=250uA
N
D
a
G
Tj JunctionTemperature(°C)
3V
2V
10V
4V
2.5V
On-Resistancev DrainCurrent
T =25°C
V
GS
R
D
D
(
I
DrainCurrent(A)
T =150°C
T =25°C
Source-DrainDiodeForwardVoltage
I
S
R
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3A17DN8 | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A17DN8TA | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A17DN8TC | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A18DN8 | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A18DN8TA | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMC3A17DN8 | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC3A17DN8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A17DN8TA | 功能描述:MOSFET 30V Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC3A17DN8TC | 功能描述:MOSFET 30V Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC3A18DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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