參數(shù)資料
型號： ZXM62P03E6TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 1500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 205K
代理商： ZXM62P03E6TC
116
ZXM62P03E6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
-30
V
I
D
=-250
μ
A, V
GS
=0V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
-1
μ
A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
Gate-Body Leakage
I
GSS
±
100
nA
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
Gate-Source Threshold Voltage
V
GS(th)
-1.0
V
I
D
=-250
μ
A, V
DS
= V
GS
Static Drain-Source On-State Resistance
(1)
R
DS(on)
0.15
0.23
V
GS
=-10V, I
D
=-1.6A
V
GS
=-4.5V, I
D
=-0.8A
Forward Transconductance (3)
g
fs
1.1
S
V
DS
=-10V,I
D
=-0.8A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
C
iss
330
pF
V
=-25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
C
oss
120
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
45
pF
SWITCHING(2) (3)
Turn-On Delay Time
t
d(on)
2.8
ns
V
DD
=-15V, I
D
=-1.6A
R
=6.2
, R
=25
(Refer to test circuit)
Rise Time
t
r
6.4
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
13.9
ns
Fall Time
t
f
10.3
ns
Total Gate Charge
Q
g
10.2
nC
V
DS
=-24V,V
GS
=-10V,
I
(Refer to test circuit)
Gate-Source Charge
Q
gs
1.5
nC
Gate Drain Charge
Q
gd
3
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V
SD
-0.95
V
T
j
=25°C, I
S
=-1.6A,
V
GS
=0V
Reverse Recovery Time (3)
t
rr
19.9
ns
T
=25°C, I
=-1.6A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Charge(3)
Q
rr
13
nC
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999
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