參數(shù)資料
型號： ZXM62N03G
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 30V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 6/7頁
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代理商： ZXM62N03G
ZXM62N03G
ISSUE 1 - OCTOBER 2002
6
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
0.1
10
100
0
4
V
DS
- Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
0
500
900
C
I
D
=2.2A
V
G
-
5
0
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
400
800
700
300
200
600
100
1
4.5
4
6
V
DS
=16V
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
1
2
3
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXM62N03GTA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62N03GTC 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6TA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6TC Circular Connector; No. of Contacts:32; Series:; Body Material:Aluminum; Connector Shell Size:18; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:18-32; MIL SPEC:MIL-C-26482 Series I RoHS Compliant: No
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXM62N03GTA 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM62N03GTC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, -2.3A, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.3A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):200mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV , RoHS Compliant: Yes
ZXM62P02E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6
ZXM62P02E6_04 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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