參數(shù)資料
型號(hào)： ZXM62N03E6TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 187K
代理商： ZXM62N03E6TC
ZXM62N03E6
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.1
10
100
0
4
8
V
DS
- Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
0
500
C
ID=2.2A
V
G
10
9
8
0
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
VDS=24V
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
500
200
400
100
300
1
7
6
VDS=15V
7
6
5
4
3
2
1
1
2
3
5
102
PROVISIONAL ISSUE A - MAY 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXM62N03G 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62N03GTA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62N03GTC 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6TA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXM62N03G 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62N03GTA 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM62N03GTC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P02E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, -2.3A, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.3A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):200mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV , RoHS Compliant: Yes
ZXM62P02E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6
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