參數(shù)資料
型號(hào)： ZXM61P02
廠(chǎng)商： Zetex Semiconductor
英文描述： 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 20V的P溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 229K
代理商： ZXM61P02
ZXM61P03F
85
0.1
1
100
1.5
2.5
0.1
1
10
0.2
0.8
1.4
+200
+100
-100
0.1
10
100
-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
100m
1
10
-
D
-VGS
VDS=-10V
-
D
10
1
10m
-V
GS
- Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
R
D
)
10
1
100m
-I
D
- Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
-
D
10
1
100m
-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
N
D
G
1.7
1.1
0.5
T
j
- Junction Temperature (°C)
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
v Temperature
-
S
10
1
10m
-V
SD
- Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T=+150°C
T=+25°C
T=+150°C
VGS=-10V
ID=-0.6A
T=+25°C
RDS(on)
VGS=VDS
ID=-250uA
VGS(th)
0.4
0.6
1.0
1.2
100m
Vg=-5V
1.5
1.3
0.9
0.7
0
3.5
4.5
100m
10
5V
4V
3V
9V 8V 7V
3V
4V
5V
6V
-VGS
7V
8V
10V
+150°C
+25°C
9V
10V
6V
Vg=-10V
Vg=-3V
TYPICAL CHARACTERISTICS
PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXM61N02 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM61N02F 71-254216-26H
ZXM61N02FTA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM61N02FTC 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM61P02F 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXM61P02F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:90 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:P CH MOSFET, -20V, 900mA, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:900mA, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):600mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV , RoHS Compliant: Yes 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:90
ZXM61P02F_04 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM61P02FTA 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM61P02FTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXM61P02F Series 20V 0.6 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
ZXM61P02FTC 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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