參數資料
型號： ZXCT1032N8TA
廠商： Diodes Inc
文件頁數： 3/10頁
文件大?。?/td> 340K
描述： IC CURRENT MONITOR 8SOIC
標準包裝： 1
功能： 電流監(jiān)控器
檢測方法： 高端
輸入電壓： 9.5 V ~ 21 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOP
包裝： 標準包裝
產品目錄頁面： 1478 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： ZXCT1032N8DKR
ZXCT1032
Issue 4 - June 2007
3
www.zetex.com
?Zetex Semiconductors plc 2007
Absolute maximum ratings
V
IN+
 max
(a)
...................................................................................................... 28 V
Voltage on any pin relative to GND ............................................................. -0.6V and V
IN
 +0.5 V
Maximum differential voltage between V
IN+
 and V
IN-
 (V
SENSE
) ................ 500 mV
Junction temperature range ........................................................................ -40 to 150癈
Storage temperature range .......................................................................... -55 to 150癈
Operation above the absolute maximum rating may cause device failure. Operation at the
absolute maximum ratings, for extended periods, may reduce device reliability.
NOTES:
(a) Up to a maximum of 24 hours
Recommended operating conditions
Electrical characteristics
Test conditions T
amb
 = 25癈, V
IN+
 = 20V. Unless otherwise stated.
Symbol    Parameter
Min.
Max.
Units
V
IN+
Supply range
9.5
21
V
T
A
Ambient temperature range
-40
85
癈
V
FLAG
Flag voltage range
0
V
IN+
V
V
ISET
Voltage on ISET pin
1
2.5
V
Symbol Parameter
Conditions
Min.    Typ.   Max.  Units
I
Q
Quiescent current
V
SENSE
1
= 0V, V_
ISET
 = 2.1V
1.6
2.5
mA
V
STRIP
  (*)
NOTES:
(*) V
SENSE
 = V
IN+
 - V
IN-
. V
STRIP
 is the sense voltage at which the device trips into over-current protection.
Flag trip threshold
voltage
V
ISET
 =1.1V
95
mV
V
ISET
 =2.1V
185
195
205
V
ISET
ISET open voltage
I
ISET
 = 0
2.0
2.1
2.2
V
I
ISET
ISET output current
V
ISET
 =0V
30
45
60
A
V
DRIVEH
Drive high output
voltage
V
ISET
 = 2.1V, V
SENSE
> 205mV,
I
DRIVE
 = 0,
V
IN-
 
 0.4
V
IN-
 0.2
V
V
DRIVEL
Drive low output voltage V
ISET
 = 2.1V, V
SENSE
< 185mV,
I
DRIVE
 = 0,
V
IN-
 
- 7
V
IN-
 
- 5.5
V
IN-
 -
4
V
R
DRIVEL
Drive low output resistance V
ISET
 = 2.1V, V
SENSE
< 185mV
9
k
V
FLAGL
Flag Low output Voltage  V
ISET
 = 2.1V, V
SENSE
> 205mV
I
FLAG
 = 100礎
0.2
0.4
V
I
FLAGZ
Flag open circuit leakage
current
V
ISET
 = 2.1V, V
SENSE
< 185mV,
V
FLAG
 = 5V
1
200
nA
I
IN-
IN- bias current
V
ISET
 = 0V
100
200
nA
V
STRIP-TC
Temperature coefficient
of trip voltage
See footnote
 ( )
( ) Temperature dependent measurements are extracted from characterization and simulation results.
95
ppm/癈
I
CT-CHG
Capacitor C
T
 charging
current
FLAG = Open
130
200
270
A
I
CT-DIS
Capacitor C
T
 discharging
current
FLAG = Low
1.8
3.3
5.4
A
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