參數(shù)資料
型號： ZX5T955G
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 140伏特進步黨中功率低飽和晶體管采用SOT223
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： ZX5T955G
ZX5T955G
ISSUE 2 - AUGUST 2004
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
-180
-200
V
I
C
=-100 A
I
C
=-1 A, RB
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-150V
V
CB
=-150V, T
amb
=100 C
V
CB
=-150V
V
CB
=-150V, T
amb
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
=-0.1A, I
B
=-5mA*
I
C
=-0.5A, I
B
=-50mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-3A, I
B
=-300mA*
I
C
=-3A, I
B
=-300mA*
I
C
=-3A, V
CE
=-5V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-3A, V
CE
=-5V*
I
C
=-10A, V
CE
=-5V*
MHz I
C
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Collector-emitter breakdown voltage
-180
-200
V
1k
Collector-emitter breakdown voltage
-140
-160
V
Emitter-base breakdown voltage
-7.0
-8.0
V
Collector cut-off current
1
-20
-0.5
nA
A
Collector cut-off current
I
CER
R
1k
1
-20
-0.5
nA
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
CE(S AT)
1
-10
nA
Collector-emitter saturation voltage
-40
-55
-85
-275
-60
-80
-120
-360
mV
mV
mV
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
V
BE(ON)
H
FE
-940
-1040
mV
Base-emitter turn-on voltage
-830
-930
mV
Static forward current transfer ratio
100
100
45
225
200
100
5
300
Transition frequency
f
T
120
Output capacitance
C
OBO
t
ON
t
OFF
33
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz*
I
C
=-1A, V
CC
=-50V,
I
B1
= -I
B2
=-100mA
Switching times
42
636
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
相關PDF資料
PDF描述
ZX5T955GTA 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T955GTC 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX60-2510M High Isolation Amplifiers 50з, 0.5 to 5.9 GHz
ZX60-2514M High Isolation Amplifiers 50з, 0.5 to 5.9 GHz
ZX60-2522M High Isolation Amplifiers 50з, 0.5 to 5.9 GHz
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參數(shù)描述
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