參數(shù)資料
型號： ZX5T949G
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 30V的進(jìn)步黨低飽和晶體管采用SOT223
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： ZX5T949G
ZX5T949G
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 1 - NOVEMBER 2003
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
-50
-70
V
I
C
= -100 A
I
C
= -1 A, RB < 1k
I
C
= -10mA *
I
E
= -100 A
V
CB
= -40V
V
CB
= -40V, T
amb
= 100°C
V
CB
= -40V
V
CB
= -40V, T
amb
= 100°C
V
EB
= -6V
I
C
= -0.5A, I
B
= -20mA *
I
C
= -1A, I
B
= -100mA *
I
C
= -1A, I
B
= -20mA *
I
C
= -2A, I
B
= -200mA *
I
C
= -5.5A, I
B
= -500mA *
Collector-emitter breakdown voltage
-50
-70
V
Collector-emitter breakdown voltage
-30
-40
V
Emitter-base breakdown voltage
-7.0
-8.0
V
Collector cut-off current
<1
-20
-0.5
nA
A
Collector cut-off current
I
CER
R < 1k
<1
-20
-0.5
nA
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
CE(S AT)
<1
-10
nA
Collector-emitter saturation voltage
-30
-40
-60
-70
-170
-45
-60
-85
-90
-210
mV
mV
mV
mV
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
V
BE(ON)
h
FE
-1030
-1130
mV
I
C
= -5.5A, I
B
= -500mA *
I
C
= -5.5A, V
CE
= -1V *
I
C
= -10mA, V
CE
= -1V *
I
C
= -1A, V
CE
= -1V *
I
C
= -5A, V
CE
= -1V *
I
C
= -20A, V
CE
= -1V *
I
C
= -100mA, V
CE
= -10V
f = 50MHz
Base-emitter turn-on voltage
-900
-1000
mV
Static forward current transfer ratio
100
100
70
10
225
200
145
20
300
Transition frequency
f
T
110
Output capacitance
C
OBO
t
ON
t
OFF
83
pF
V
CB
= -10V, f = 1MHz *
I
C
= -1A, V
CC
= -10V,
I
B1
= I
B2
= -100mA
Switching times
43
230
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
NOTES
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZX5T951G 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T951GTA 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T951GTC 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T953GTC 100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T953GTA 100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZX5T949GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZX5T949Z 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPS TM 30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZX5T949ZTA 功能描述:TRANSISTOR PNP 5.5A 30V SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
ZX5T951ASTOA 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3.5A TO92-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
ZX5T951G 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*