參數(shù)資料
型號(hào)： ZX5T853Z
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
中文描述： 100V的npn型低飽和中功率晶體管SOT89
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： ZX5T853Z
ZX5T853Z
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
200
235
V
I
C
= 100 A
I
C
= 1 A, RB
I
C
= 10mA*
I
E
= 100 A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V, T
amb
=100 C
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V, T
amb
=100 C
V
EB
= 6V
I
C
= 0.1A, I
B
= 5mA*
I
C
= 1A, I
B
= 100mA*
I
C
= 2A, I
B
= 100mA*
I
C
= 5A, I
B
= 500mA*
I
C
= 5A, I
B
= 500mA*
I
C
= 5A, V
CE
= 2V*
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V*
I
C
= 2A, V
CE
= 2V*
I
C
= 5A, V
CE
= 2V*
I
C
= 10A, V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA, V
CE
= 10V
f=50MHz
Collector emitter breakdown voltage
200
235
V
1k
Collector emitter breakdown voltage
100
115
V
Emitter base breakdown voltage
7
8.1
V
Collector cut-off current
20
0.5
nA
A
Collector cut-off current
I
CER
R
1k
20
0.5
nA
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
CE(S AT)
10
nA
Collector-emitter saturation voltage
20
45
85
155
30
60
115
195
mV
mV
mV
mV
Base emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
V
BE(ON)
h
FE
1000
1100
mV
Base emitter turn on voltage
900
1000
mV
Static forward current transfer ratio
100
100
30
10
230
200
60
20
300
Transition frequency
f
T
130
MHz
Output capacitance
C
OBO
t
ON
t
OFF
26
pF
V
CB
= 10V, f= 1MHz*
I
C
= 1A, V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 100mA
Switching times
41
1010
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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