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參數(shù)資料
| 型號： | ZX3.9 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 中文描述： | 硅功率的Z -二極管（非平面技術(shù)） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | ZX3.9 |
1
) Valid if mounted on vertical cooling fin 150 cm
2
– Gültig bei Montage auf senkrecht stehendem Kühlblech 150 cm
2
10.09.2002
1
ZX 3.9 ... ZX 200 (12.5 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flchendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
12.5 W
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
3.9…200 V
Metal case – Metallgehuse
DO-4
Weight approx. – Gewicht ca.
5.5 g
Standard polarity:
Index R:
Cathode to stud / Gewinde
Anode to stud / Gewinde (e.g. ZX ...R)
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings
Grenzwerte
Power dissipation without cooling fin
Verlustleistung ohne Kühlblech
T
A
= 25 C
P
tot
1.6 W
Power dissipation with cooling fin 150 cm
2
Verlustleistung mit Kühlblech 150 cm
2
T
A
= 25 C
P
tot
12.5 W
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
T
A
= 25 C
P
ZSM
100 W
Admissible torque for mounting on cooling fin
Zulssiges Anzugsdrehmoment
1 Nm
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 55…+150 C
– 55…+175 C
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 80 K/W
Thermal resistance junction to stud
Wrmewiderstand Sperrschicht – Schraube
R
thC
< 5 K/W
1
)
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite
1
1
3
M5
SW11
7
Type
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZX30 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZX33 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZX36 | PTSE 3C 3#20 PIN PLUG |
| ZX39 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZX100 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZX39R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| ZX39V | 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| ZX3CD1S1M832 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:12V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL |
| ZX3CD1S1M832TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V/1A Sch Comb RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZX3CD1S1M832TC | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:12V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL |
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