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參數(shù)資料
| 型號： | ZVN4525E6(1) |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 426K |
| 代理商： | ZVN4525E6(1) |
ISSUE 1 - MARCH 2001
ZVN4525E6
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4525 | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVN4525E6 | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVN4525E6TC | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVN4525G(1) | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN4525G | PNP 30CM DIFF W/ADJ RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVN4525E6TA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN4525E6TC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN4525G | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVN4525G(1) | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述: |
| ZVN4525GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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