參數(shù)資料
型號： ZTX541DA
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 100V的五（巴西）總裁|芯片
文件頁數(shù)： 1/6頁
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代理商： ZTX541DA
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ZTX541DB TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541DC TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX542 TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR
ZTX342 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
ZTX600B Transient Voltage Suppressor Diodes
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參數(shù)描述
ZTX541DB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541DC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX541STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX541STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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