參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX454
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 50K
代理商： ZTX454
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 2 MARCH 1994
FEATURES
*
140 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX454
ZTX455
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
140
160
V
Collector-Emitter Voltage
120
140
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX454
ZTX455
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
140
160
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
120
140
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
0.1
μ
A
μ
A
V
CB
=140V
V
CB
=120V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
0.1
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.7
1.0
0.7
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=200mA, I
B
=20mA
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
30
10
300
100
10
300
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=200mA, V
=1V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
100
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Typical
E-Line
TO92 Compatible
ZTX454
ZTX455
3-179
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX455 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX457 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX458 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX500 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
ZTX537C PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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