型號(hào): | ZTX313DC |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五(巴西)總裁|芯片 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 64K |
代理商: | ZTX313DC |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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ZTX314DA | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |
ZTX314DB | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |
ZTX510DA | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
ZTX510DB | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
ZTX510DC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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ZTX313STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZTX313STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZTX313STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZTX314 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
ZTX314DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | CHIP |