參數(shù)資料
型號： ZTX301DA
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 35V的五（巴西）總裁|芯片
文件頁數(shù)： 1/1頁
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代理商： ZTX301DA
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PDF描述
ZTX303DA TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | CHIP
ZTX303DB TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | CHIP
ZTX303DC TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | CHIP
ZTX304DA Transient Voltage Suppressor Diodes
ZTX301DB TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX301DB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX301DC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX301STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX301STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX301STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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