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參數(shù)資料
| 型號： | ZPY4.7 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 中文描述： | 硅功率的Z -二極管（非平面技術(shù)） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | ZPY4.7 |
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3
) The ZPY 1 is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die ZPY 1 ist eine in Durchla betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
212
28.02.2002
ZPY 1…ZPY 200 (1.3 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flchendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
1.3 W
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
1…200 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
DO-41
DO-204AL
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung
T
A
= 50 C
P
tot
1.3 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
T
A
= 25 C
P
ZSM
40 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50...+150 C
– 50...+175 C
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 45 K/W
1
)
Thermal resistance junction to lead
Wrmewiderstand Sperrschicht – Anschludraht
R
thL
< 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZPY9.1 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZPY8.2 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZPY7.5 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZPY6.8 | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| ZPY3.9 | Triac; Thyristor Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:25mA; Current, It av:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:25mA RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZPY47-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| ZPY47-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| ZPY4V3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes |
| ZPY4V3-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| ZPY4V3-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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