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參數(shù)資料
| 型號： | ZPSD612(V)E1 |
| 英文描述： | Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個可編程I/O,通用PLD有63個輸入) |
| 中文描述： | 現(xiàn)場可編程微控制器外圍設備和嵌入式微-細胞（可編程邏輯，零功耗，4K的位的SRAM，26余個可編程輸入/輸出，通用PLD的有63個輸入） |
| 文件頁數(shù)： | 88/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 484K |
| 代理商： | ZPSD612(V)E1 |
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ZPSD6XX(V) Family
12-88
Figure 33. Write Timing
tAVLX
tLXAX
tLVLX
tAVWL
tSLWL
tWHDX
tWHAX
tELTL
tEHEL
tWLMV
tWLWH
tDVWH
tTHEH
tAVPV
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
ADDRESS OUT
tWHPV
STANDARD
MCU I/O OUT
ALE/AS
A/D (BHE)
MULTIPLEXED
BUS
ADDRESS
(BHE, SIZ0)
NON-MULTIPLEXED
BUS
DATA
NON-MULTIPLEXED
BUS
CSI
WR
(WRH, WRL)
(LDS, UDS)
(DS)
E
R/ W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZPSD613(V)E1 | Field Programmable Microcontroller Peripherals with Embedded Micro--Cell(可編程邏輯，零功耗，4K位SRAM,26個可編程I/O,通用PLD有63個輸入) |
| ZPSD813F1V | Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲器，256K位EEPROM，16K位SRAM) |
| ZR33771GC-40 | Cell Rectifier Diodes |
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| ZR33771GM-30 | Cell Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZPSD613E1-15J | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-15L | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-70J | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1-70L | 制造商:WSI 功能描述: |
| ZPSD613E1V-20L | 制造商:WSI 功能描述: |
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