型號: | ZHAL20R4ACNS |
英文描述: | ASIC |
中文描述: | 專用集成電路 |
文件頁數(shù): | 12/14頁 |
文件大?。?/td> | 995K |
代理商: | ZHAL20R4ACNS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
ZHAL20R6ACNL | ASIC |
ZHAL20R6ACNS | ASIC |
ZHAL20R8ACNL | ASIC |
ZHAL20R8ACNS | ASIC |
ZHAL20RS10ACNL | NanoPower Voltage Detectors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
Z-HAN-RANGE-LRS | 制造商:TELEGESIS 功能描述:ZIGBEE GATEWAY |
ZHB6718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY, H-BRIDGE 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN & PNP, QUAD, 20V, 2.5A, 2W, SM8; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:2.5A; DC Current Gain hFE:450 ;RoHS Compliant: Yes |
ZHB6718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
ZHB6718TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZHB6718TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |