參數(shù)資料
型號： ZDT758
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： 0.5 A, 400 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SM-8, 8 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： ZDT758
SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWER
TRANSISTORS
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995
PARTMARKING DETAIL T758
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
stg
-400
V
Collector-Emitter Voltage
-400
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1
A
Continuous Collector Current
-0.5
A
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Total Power Dissipation at T
amb
= 25°C*
Any single die on
Both die on equally
P
tot
2.25
2.75
W
W
Derate above 25°C*
Any single die on
Both die on equally
18
22
mW/ °C
mW/ °C
Thermal Resistance - Junction to Ambient*
Any single die on
Both die on equally
55.6
45.5
°C/ W
°C/ W
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner
on a PCB with copper equal to 2 inches square.
ZDT758
SM-8
(8 LEAD SOT223)
C
1
C
1
C
2
C
2
B
1
E
1
B
2
E
2
3 - 354
3 - 355
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參數(shù)描述
ZDT758TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZDT758TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 400V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZDT795A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
ZDT795ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZDT795ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 140V PNP High G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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