ZXMN10A11GTA

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

3/3頁 40條/頁共93條
上一頁 1 2 3

您是不是要找： ZXMN10A11GTC ZXMN10A11K ZXMN10A11KTC ZXMN10A25GTA ZXMN10A25K ZXMN10A25KTC ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC

ZXMN10A11GTA PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ZXMN10A11GTA PDF下載

功能描述
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMN10A11GTA 技術(shù)參數(shù)

ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 基本零件編號(hào):ZXMHC10A07T8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-MLP（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA