ZXMN2A01E6TC

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

ZXMN2A01E6TC
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
82490
Diodes
SOT-23-6
新年份
-
一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

ZXMN2A01E6TC
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
37000
ZETEX
SOT-23-6
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET 20V N Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMN2A01E6TC 技術(shù)參數(shù)

ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA ZXMN2B03E6TA ZXMN2B14FHTA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTC ZXMN3A01ZTA ZXMN3A02N8TA ZXMN3A02X8TA