At TA = +25°C, V+ = 24V, and TIP29C external transisto" />
參數(shù)資料
型號(hào)： XTR114U
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC 4-20MA TRANSMITTER 14-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 50
類型： 電流發(fā)送器
輸入類型： 電壓
輸出類型： 電壓
接口： 2 線
電流 - 電源： 20mA
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 14-SO
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 904 (CN2011-ZH PDF)
2
XTR112, XTR114
SPECIFICATIONS
At TA = +25°C, V+ = 24V, and TIP29C external transistor, unless otherwise noted.
XTR112U
XTR112UA
XTR114U
XTR114UA
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
OUTPUT
Output Current Equation
A
Output Current, Specified Range
4
20
TT
mA
Over-Scale Limit
24
27
30
TT
T
mA
Under-Scale Limit: XTR112
IREG = 0
0.9
1.3
1.7
TT
T
mA
XTR114
0.6
1
1.4
TT
T
mA
ZERO OUTPUT(1)
VIN = 0V, RG = ∞
4
T
mA
Initial Error
±5
±25
T
±50
A
vs Temperature
±0.07
±0.5
T
±0.9
A/°C
vs Supply Voltage, V+
V+ = 7.5V to 36V
0.04
0.2
TT
A/V
vs Common-Mode Voltage
VCM = 1.25V to 3.5V(2)
0.02
T
A/V
vs VREG Output Current
0.3
T
A/mA
Noise: 0.1Hz to 10Hz
0.03
T
Ap-p
SPAN
Span Equation (transconductance)
S = 40/RG
T
A/V
Initial Error (3)
Full Scale (VIN) = 50mV
±0.05
±0.2
T
±0.4
%
vs Temperature(3)
±3
±25
TT
ppm/
°C
Nonlinearity: Ideal Input (4)
Full Scale (VIN) = 50mV
0.003
0.01
TT
%
INPUT(5)
Offset Voltage
VCM = 2V
±50
±100
T
±250
V
vs Temperature
±0.4
±1.5
T
±3
V/°C
vs Supply Voltage, V+
V+ = 7.5V to 36V
±0.3
±3
TT
V/V
vs Common-Mode Voltage,
VCM = 1.25V to 3.5V(2)
±10
±50
T
±100
V/V
RTI (CMRR)
Common-Mode Input Range(2)
1.25
3.5
TT
V
Input Bias Current
525
T
50
nA
vs Temperature
20
T
pA/
°C
Input Offset Current
±0.2
±3
T
±10
nA
vs Temperature
5
T
pA/
°C
Impedance: Differential
0.1 || 1
T
G
|| pF
Common-Mode
5 || 10
T
G
|| pF
Noise: 0.1Hz to 10Hz
0.6
T
Vp-p
CURRENT SOURCES
VO = 2V(6)
Current: XTR112
250
T
A
XTR114
100
T
A
Accuracy
±0.05
±0.2
T
±0.4
%
vs Temperature
±15
±35
T
±75
ppm/
°C
vs Power Supply, V+
V+ = 7.5V to 36V
±10
±25
TT
ppm/V
Matching
±0.02
±0.1
T
±0.2
%
vs Temperature
±3
±15
T
±30
ppm/
°C
vs Power Supply, V+
V+ = 7.5V to 36V
1
10
TT
ppm/V
Compliance Voltage, Positive
(V+) –3
(V+) –2.5
TT
V
Negative(2)
0
–0.2
TT
V
Output Impedance: XTR112
500
T
M
XTR114
1.2
T
G
Noise: 0.1Hz to 10Hz: XTR112
0.001
T
Ap-p
XTR114
0.0004
T
Ap-p
VREG(2)
5.1
T
V
Accuracy
±0.02
±0.1
TT
V
vs Temperature
±0.2
T
mV/
°C
vs Supply Voltage, V+
1
T
mV/V
Output Current: XTR112
–1, +2.1
T
mA
XTR114
–1, +2.4
T
mA
Output Impedance
75
T
LINEARIZATION
RLIN (internal)
1
T
k
Accuracy
±0.2
±0.5
T
±1%
vs Temperature
±25
±100
TT
ppm/
°C
POWER SUPPLY
Specified Voltage
+24
T
V
Operating Voltage Range
+7.5
+36
TT
V
TEMPERATURE RANGE
Specification, TMIN to TMAX
–40
+85
TT
°C
Operating /Storage Range
–55
+125
TT
°C
Thermal Resistance,
θ
JA
SO-14 Surface-Mount
100
T
°C/W
IO = VIN (40/RG) + 4mA, VIN in Volts, RG in
T Specification same as XTR112U, XTR114U.
NOTES: (1) Describes accuracy of the 4mA low-scale offset current. Does not include input amplifier effects. Can be trimmed to zero. (2) Voltage measured with
respect to IRET pin. (3) Does not include initial error or TCR of gain-setting resistor, RG. (4) Increasing the full-scale input range improves nonlinearity. (5) Does not
include Zero Output initial error. (6) Current source output voltage with respect to IRET pin.
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