參數(shù)資料
型號： XT2116-1401
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 晶閘管
英文描述： Fast Turn-on Asymmetric Thyristor
中文描述： 79 A, 1400 V, ASSYMETRIC SCR
封裝： SO28, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： XT2116-1401
XT2116
2/4
SURGE RATINGS
Conditions
Max.
Units
Symbol
Parameter
I
TSM
Surge (non-repetitive) forward current
I
2
t
I
2
t for fusing
3200
A
2
s
800
A
10ms half sine; T
case
= 125
o
C
THERMAL AND MECHANICAL DATA
Conditions
Min.
Max.
Units
Thermal resistance - junction to case
R
th(j-c)
Symbol
Parameter
d.c.
-
0.35
o
C/W
Mounting torque 3.5Nm
with mounting compound
Thermal resistance - case to heatsink
R
th(c-h)
0.25
-
o
C/W
T
vj
Virtual junction temperature
On-state (conducting)
-
125
o
C
T
stg
Storage temperature range
-
3.5
*
-55
125
o
C
Mounting torque
4.0
Nm
DYNAMIC CHARACTERISTICS
V
TM
Parameter
Symbol
Conditions
Maximum on-state voltage
At I
T
= 100A
I
RRM
/I
DRM
Peak reverse and off-state current
At V
RRM
/V
DRM
Half sine wave of 2
μ
s, T
j
= 125C
Gate source 20V, 10
. t
r
= 160ns
dV/dt
Maximum linear rate of rise of off-state voltage
T
j
= 125
o
C, To V
DRM
, R
GK
= 47
Typ.
Max.
Units
-
V
-
10/10
mA
-
300
V/
μ
s
-
2000
A/
μ
s
Rate of rise of on-state current
dI/dt
Latching current
-
I
L
45
-
mA
I
H
Holding current
-
t
d
Delay time
V
D
= 400V, gate source = 500mA, t
r
= 50ns
35
-
mA
-
250
ns
I
T
= 25A, V
= 0V, V
= V
DWM
, T
case
=120C,
R
GK
= 47
, dV/dt = 100V/
μ
s.
μ
s
120
-
Circuit commutated turn-off time
t
q
2.0
Available to 10
μ
s.
T
case
= 25C unless otherwise stated.
* Recommended value.
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PDF描述
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XT2116 Fast Turn-on Asymmetric Thyristor
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XU1002-QD 17.0-25.0 GHz GaAs Transmitter QFN, 7x7mm
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