參數(shù)資料
型號(hào)： XP04878
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon N-channel MOSFET
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-88, SMINI6-G1, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： XP04878
1
Publication date: December 2003
SJJ00263BED
Composite Transistors
XP04878
Silicon N-channel MOSFET
For switching
■
Features
Allowing 2.5 V drive
Incorporating a built-in gate protection-diode
S-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and
assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SK3539
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
0.12
+0.05
Internal Connection
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain-source surrender voltage
V
DSS
I
D
=
10
μ
A, V
GS
=
0
V
DS
=
50
V, V
GS
=
0
V
GS
=
±
7 V, V
DS
=
0
I
D
=
1
μ
A, V
DS
=
3 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
2.5 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
4.0 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
4.0 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V, f
=
1 MHz
50
V
Drain-source cutoff current
I
DSS
1.0
μ
A
μ
A
Gate-source cutoff current
I
GSS
V
th
±
5
Gate threshold voltage
0.9
1.2
1.5
V
Drain-source ON resistance
R
DS(on)
8
15
6
12
Forward transfer admittance
Y
fs
20
60
mS
Short-circuit forward transfer
capacitance (Common-source)
C
iss
12
pF
Short-circuit output capacitance
(Common-source)
C
oss
7
pF
Reverse transfer capacitance
(Common-source)
C
rss
3
pF
Turn-on time
t
on
V
DD
=
3 V, V
GS
=
0 V to 3 V, R
L
=
470
V
DD
=
3 V, V
GS
=
3 V to 0 V, R
L
=
470
200
ns
Turn-off time
t
off
200
ns
Marking Symbol: 7Y
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Drain-source surrender voltage
V
DSS
50
V
Gate-source voltage (Drain open)
V
GSO
±
7
V
Drain current
I
D
I
DP
100
mA
Peak drain current
200
mA
Total power dissipation
P
T
150
mW
Channel temperature
T
ch
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
5
10
2
±
0
1
±
0
1
3
2
0.2
±
0.05
0
±
0
(
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
0
0
±
0
0
+
–
6
5
4
(0.65) (0.65)
1: Source (FET1)
2: Gate (FET1)
3: Drain (FET2)
EIAJ: SC-88
4: Source (FET2)
5: Gate (FET2)
6: Drain (FET1)
SMini6-G1 Package
3
4
1
2
6
5
Note)
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.
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