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參數(shù)資料
| 型號： | XP04683(XP4683) |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | XP04683(XP4683) |
Composite Transistors
XP04601
(XP4601)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: February 2004
SJJ00187BED
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SD0601A (2SD601A)
+
2SB0709A (2SB709A)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 5C
Internal Connection
Tr1
Tr2
1
2
3
4
6
5
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
60
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
100
mA
Peak collector current
200
60
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
100
200
mA
Peak collector current
I
CP
P
T
mA
Overall
Total power dissipation
150
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Unit: mm
5
10
2
±
0
1
±
0
1
3
2
0.2
±
0.05
0.12
+0.05
0
±
0
(
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
0
0
±
0
0
+
–
6
5
4
(0.65) (0.65)
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
EIAJ: SC-88
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP05501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP5501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP05553 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP5553 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP05534 | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XP04878 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel MOSFET |
| XP0487800L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 100MA S-MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| XP05501 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
| XP05501(XP5501) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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