參數(shù)資料
型號: XN0A311(XN1A311)
英文描述: 複合デバイス - 複合トランジスタ
中文描述: 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: XN0A311(XN1A311)
XN0A311
4
SJJ00234CED
Characteristics charts of Tr2
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
40
80
120
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
T
a
=
25
°
C
0.3 mA
0.1 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1
10
100
1
000
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0.1
1
100
1
000
10
0
40
80
120
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
0
20
30
10
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0.1
100
1
10
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.01
1.0
0.
1
1
10
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Input voltage V
IN
(V)
O
O
V
O
=
5 V
T
a
= 25
°
C
0.1
0.1
1
100
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
10
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN0A312(XN1A312) 複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0B301 Composite Device - Composite Transistors
XN1B301 Composite Device - Composite Transistors
XN0B301(XN1B301) 複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0C301(XN1C301) 複合デバイス - 複合トランジスタ
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參數(shù)描述
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