參數(shù)資料
型號(hào)： XN09D57
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
中文描述： 2500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： XN09D57
Composite Transistors
XN09D57
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)
Silicon epitaxial planar type (SBD)
1
Publication date: March 2004
SJJ00245CED
For DC-DC converter
■
Features
Two elements incorporated into one package (Tr
+
SBD)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
■
Basic Part Number
XN9D57
+
MA3XD11
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: EW
Internal Connection
Unit: mm
0.16
+0.10
4
3
6
1
2
5
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
2.5 A
I
C
=
1 A, I
B
=
10 mA
I
C
=
2.5 A, I
B
=
50 mA
15
15
5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
h
FE1
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
200
560
h
FE2
100
Collector-emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
140
270
mV
320
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr
1: Emitter
2: Base
3: Anode
4: Collector (Cathode)
5: Collector (Cathode)
6: Collector (Cathode)
Mini6-G1 Package
Note)*: Measuring on ceramic substrate at 15 mm
×
15 mm
×
0.6 mm
2.90
1.9
±
0.1
+0.20
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
(0.95)
0.50
+0.10
0.30
+0.10
(0.95)
4
5
6
3
1
2
5
°
10
°
Display at No.1 lead
Parameter
Symbol
Rating
15
Unit
Tr
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
15
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
I
CP
2.5
10
A
Peak collector current
A
SBD
Reverse voltage
V
R
20
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
25
V
Forward current (Average)
1
A
Non-repetitive peak
forward surge current
2
A
Overall
Total power dissipation
*
P
T
T
j
600
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
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XN09D61 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
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