參數(shù)資料
型號(hào): XN07651
英文描述: Composite Device - Composite Transistors
中文描述: 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: XN07651
XN07651
4
SJJ002
43
AED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
0
400
350
300
250
200
150
100
50
0.01
0.1
1
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=
2 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
10
0
2
1
000
100
4
6
8
10
14
12
16
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XNB101 BLADES GENERAL DUTY Inhalt pro Packung: 5 Stk.
XNB103 BLADES FINE POINT 5 PER PACK Inhalt pro Packung: 5 Stk.
XNB105 BLADES STENCIL 5 PER PACK Inhalt pro Packung: 5 Stk.
XNB201 E-MESSER MEISS. Inhalt pro Packung: 5 Stk.
XNB203 E-MESSER RUND Inhalt pro Packung: 5 Stk.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN09D57 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
XN09D5700L 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 2.5A MINI 6P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
XN09D58 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
XN09D5800L 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 2.5A MINI 6P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
XN09D61 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors