參數資料
型號： XN04601
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer transistor For general amplification
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： XN04601
4
Composite Transistors
XN04601
f
T
— I
E
NV — I
C
Characteristics charts of Tr2
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
–
0.1
–
0.3
300
240
180
120
60
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=10V
Ta=25
C
0
10
240
200
160
120
80
40
30
100
300
1000
50
500
20
Collector current I
C
(
μ
A)
200
N
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
Ta=25
C
4.7k
R
g
=100k
22k
0
0
–
18
–
2
–
4
–
6
–
8
–
10
–
12
–
14
–
16
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–
60
–
50
–
40
–
30
–
20
–
10
C
C
Ta=25
C
I
B
=
–
300
μ
A
–
250
μ
A
–
200
μ
A
–
150
μ
A
–
100
μ
A
–
50
μ
A
0
0
–
100
Base current I
B
(
μ
A)
–
200
–
300
–
400
–
60
–
50
–
40
–
30
–
20
–
10
C
C
V
CE
=
–
5V
Ta=25
C
0
0
–
0.4
–
0.8
–
1.2
–
1.6
–
400
–
350
–
300
–
250
–
200
–
150
–
100
–
50
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=
–
5V
Ta=25
C
0
0
–
2.0
–
1.6
–
1.2
–
0.8
–
0.4
–
240
–
200
–
160
–
120
–
80
–
40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
–
5V
Ta=75
C
–
25
C
25
C
–
0.001
–
0.003
–
1
–
3
–
0.01
–
0.03
–
0.1
–
0.3
–
1
–
3
–
10
–
10
–
30
–
100
–
300
–
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
–
1
–
3
600
500
400
300
200
100
–
10
–
30
–
100
–
300
–
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–
10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
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PDF描述
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參數描述
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XN0460100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
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