參數(shù)資料
型號(hào)： XN04404
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： XN04404
1
Publication date: December 2003
SJJ00073BED
Composite Transistors
XN04404
(XN4404)
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SB0970 (2SB970)
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Internal Connection
Marking Symbol: CV
5
4
3
2
1
6
Tr2
Tr1
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Unit: mm
1: Collector (Tr1)
2: Base (Tr2)
3: Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-74
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
2.90
1.9
±
0.1
0.95
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
0
±
0
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
0.95
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
10
7
0.5
1
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Total power dissipation
P
T
T
j
T
stg
300
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
500 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
1 A
I
C
=
400 mA, I
B
=
8 mA
I
C
=
400 mA, I
B
=
8 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
15
10
7
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
h
FE1
100
350
h
FE2
V
CE(sat)
60
Collector-emitter saturation voltage
0.16
0.8
0.30
1.2
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
V
Transition frequency
f
T
C
ob
130
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
22
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN4404 Composite Device - Composite Transistors
XN04482 Composite Device - Composite Transistors
XN4482 Composite Device - Composite Transistors
XN04401(XN4401) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04402(XN4402) 複合デバイス － 複合トランジスタ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN04404(XN4404) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0440400L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN04407 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
XN04482 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*