參數(shù)資料
型號(hào)： X9315TPI
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 數(shù)字電位計(jì)
英文描述： IGBT MODULE, H BRIDGE 1200VIGBT MODULE, H BRIDGE 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 2; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:3.2V; Current, Ic continuous a max:16A; Current, Icm pulsed:32A; Power, Pd:1800W; Time,
中文描述： 100K DIGITAL POTENTIOMETER, INCREMENT/DECREMENT CONTROL INTERFACE, 32 POSITIONS, PDIP8
封裝： PLASTIC, DIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： X9315TPI
X9315
6
A.C. CONDITIONS OF TEST
6732 PGM T06
MODE SELECTION
6732 PGM T07
Input Pulse Levels
Input Rise and Fall Times
Input Reference Levels
0V to 3V
10ns
1.5V
CS
L
L
INC
U/D
H
L
X
X
X
Mode
Wiper Up
Wiper Down
Store Wiper Position
Standby
No Store, Return to Standby
H
X
L
H
A.C. OPERATING CHARACTERISTICS
(Over recommended operating conditions unless otherwise specified)
6732 PGM T08
A.C. TIMING
Notes:
(6) Typical values are for T
A
= 25
°
C and nominal supply voltage.
(7) This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
(8) MI in the A.C. timing diagram refers to the minimum incremental change in the V
W
output due to a change in the wiper position.
Limits
Typ.
(6)
Symbol
t
Cl
t
lD
t
DI
t
lL
t
lH
t
lC
t
CPH
t
IW
t
CYC
t
R
,
t
F
(7)
t
PU
(7)
t
R
V
CC
(7)
t
WR
Parameter
Min.
100
100
2.9
1
1
1
100
4
Max.
Units
ns
ns
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
ns
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mV/
μ
s
ms
CS to INC Setup
INC HIGH to U/D Change
U/D to INC Setup
INC LOW Period
INC HIGH Period
INC Inactive to CS Inactive
CS Deselect Time (NO STORE)
INC to Vw Change
INC Cycle Time
INC Input Rise and Fall Time
Power up to Wiper Stable
V
CC
Power-up Rate
Store Cycle
1
5
500
5
50
10
0.2
5
6732 FM 06
CS
INC
U/D
VW
t
CI
t
IL
t
IH
t
CYC
t
ID
t
DI
t
IW
MI
(8)
t
IC
t
CPH
t
F
t
R
10%
90%
90%
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PDF描述
X9315TPI-2.7 MOSFET MODULE, 6 PACK 100VMOSFET MODULE, 6 PACK 100V; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:75V; Case style:SEMITOP 3; Current, Id cont:80A; Current, Idm pulse:120A; Resistance, Rds on:0.0075R; Centres,
X9315TS IGBT MODULE, 6 PACK 1200VIGBT MODULE, 6 PACK 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 2; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:2.1V; Current, Ic continuous a max:22A; Current, Icm pulsed:44A; Power, Pd:1600W; Time,
X9315TSZ IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200V; Transistor type:IGBT; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic continuous a max:23A; Voltage, Vce sat max:3V; Case style:SEMITOP 2; Centres, fixing:38mm; Current, Ic av:23A; Current, Ic continuous b max:15A; RoHS Compliant: Yes
X9315TSZ-2.7 IGBT MODULE, DUAL 600V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 1; Voltage, Vceo:600V; Voltage, Vce sat max:2V; Current, Ic continuous a max:30A; Current, Icm pulsed:24A; Power, Pd:1400W; Time, rise:35ns; Centres, fixing:28.5mm;
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參數(shù)描述
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